La compagnie Intel a récemment proposé un nouveau type de dispositif logique non-volatil basé sur le spin qui pourrait permettre des améliorations significatives en terme de consommation électrique et de performances par rapport aux composants actuels basés sur la technologie CMOS [1]. Ce nouveau dispositif intègre des matériaux quantiques et fonctionne via l’effet magnétoélectrique et la conversion spin-charge permise par le couplage spin-orbite. Dans le cadre de son programme FEINMAN (Functional Electronics Integration and Manufacturing), Intel a établi un partenariat sur trois ans avec l’Unité Mixte de Physique CNRS/Thales et Spintec, à partir du 1er janvier 2019. Des chercheurs de ces deux laboratoires travailleront à optimiser l’efficacité de conversion spin-charge pour la lecture d’information de spin dans ce nouveau dispositif, en utilisant des interfaces d’oxydes et des isolants topologiques.
[1] S. Manipatruni et al, Nature 565, 35 (2019)