En collaboration avec le Shanghai Institute of Technical Physics et l’Ecole Centrale de Paris, des chercheurs du laboratoire ont montré que les matériaux ferroélectriques organiques peuvent être utilisées comme barrières tunnel actives au sein de dispositifs mémoires. Ils constituent une alternative à bas coût et plus éco-compatible que leurs équivalents inorganiques. Dans cet article, Tian et al. utilisent des dispositifs à base de couches ultraminces de poly(vinylidene fluoride) dont l’électrorésistance tunnel atteint 1000% à température ambiante. Ces travaux pourraient stimuler de nouvelles pistes combinant les ferroélectriques organiques et la spintronique moléculaire, ils ouvrent la voie vers de nouveaux composants compatibles avec la technologie du silicium ou vers des dispositifs flexibles organiques.
B. B. Tian et al. Nature Communications. 7, 11502 (2016)
Electrorésistance tunnel à travers des organiques ferroélectriques
